NXV08A170DB2
MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1838
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NXV08A170DB2
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| FET Особенности | - |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q100 |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 200A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 195nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14000pF @ 40V |
| Корпус | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| Поставщик Устройство Корпус | APM12-CBA |