NXV10V125DT1
MOSFET
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NXV10V125DT1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- MOSFET
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Мощность - Максимальная | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | - |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 250µA |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 101nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6970pF @ 50V |
| Корпус | 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm) |
| Поставщик Устройство Корпус | APM21-CGA |
| Конфигурация | 6 N-Channel (Three Phase Inverter) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 80A, 12V |