NXVF6532M3TG01
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- NXVF6532M3TG01
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 31A (Tc) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 15A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 7.5mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 58nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1215pF @ 400V |
| Мощность - Максимальная | 65.2W (Tj) |
| Корпус | 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads |
| Поставщик Устройство Корпус | APM16 |