P3M06060G7
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Производитель:
PN Junction Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- P3M06060G7
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Поставщик Устройство Корпус | D2PAK-7 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 159W |
| Vgs (макс.) | +20V, -8V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 44A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 20mA (Typ) |