P3M12025K4
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Производитель:
PN Junction Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- P3M12025K4
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Корпус | TO-247-4 |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4L |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 112A |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (макс.) | +19V, -8V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 50mA (Typ) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 577W |