P3M173K0T3

SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

Производитель: PN Junction Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
P3M173K0T3
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-220-2
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A
Поставщик Устройство Корпус TO-220-2L
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 15V
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1700 V
Vgs (макс.) +19V, -8V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 75W
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 600mA, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 600µA (Typ)