PJB200N03S7-AU_R2_002A1
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Производитель:
Panjit International Inc.
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2400
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- PJB200N03S7-AU_R2_002A1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6200 pF @ 25 V |
| Корпус | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 90A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263-7L |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 40A (Ta), 200A (Tc) |