PQMD12Z
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Производитель:
NXP USA Inc.
Категории продуктов:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Количество:
1454789
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- PQMD12Z
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6DFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Мощность - Максимальная | 350mW |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 50V |
| Резистор - База (R1) | 47kOhms |
| Резистор - База Эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Корпус | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Частота - Переход | 230MHz, 180MHz |
| Поставщик Устройство Корпус | DFN1010B-6 |