QH8ME5TCR
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
4580
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- QH8ME5TCR
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 1mA |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 2A (Ta) |
| Корпус | 8-SMD, Flat Leads |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Поставщик Устройство Корпус | TSMT8 |
| Мощность - Максимальная | 1.1W (Ta) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 90pF @ 50V, 590pF @ 50V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V |