QS1200SCM36
1200V 36AMP SiC Mosfet
Производитель:
Quest Semi
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2590
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- QS1200SCM36
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 1200V 36AMP SiC Mosfet
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Квалификация | - |
| Класс | Automotive |
| Корпус | TO-247-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 2.8V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 36A |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TO247-3 |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.8V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 60 nC @ 600 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1001 pF @ 800 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 198W |