QS120SCM80D2P
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Производитель:
Quest Semi
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- QS120SCM80D2P
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 40A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 250W (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1001 pF @ 800 V |
| Поставщик Устройство Корпус | D2PAK-7L |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.8V @ 5mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 60 nC @ 20 V |