R8019KNZ4C13

NCH 800V 19A, TO-247AD, HIGH-SPE

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 2200 Статус RoHS: Поддержка
PDF
R8019KNZ4C13

Основная информация

Номер детали:
R8019KNZ4C13
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
NCH 800V 19A, TO-247AD, HIGH-SPE

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-247-3
Рабочая температура 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 800 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 65 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 208W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 19A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 265mOhm @ 9.5A, 10V
Поставщик Устройство Корпус TO-247G
Vgs(th) (макс.) при Id 4.5V @ 7mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2100 pF @ 100 V