RF2L42008CG2

RF MOSFET LDMOS E2

Производитель: STMicroelectronics Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
RF2L42008CG2
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
RF MOSFET LDMOS E2

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Конфигурация -
Коэффициент шума -
Корпус E2
Поставщик Устройство Корпус E2
Технология LDMOS
Номинальное напряжение 65 V
Мощность - Выход 8W
Коэффициент усиления 14.5dB
Ток (Амперы) 1µA
Частота 700MHz ~ 4.2GHz