RF9G120BLFRATCR

NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 4600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
RF9G120BLFRATCR
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 12A (Tc)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 23W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 8.5 nC @ 10 V
Корпус 6-UDFN Exposed Pad
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 470 pF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус DFN2020Y7LSAA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 171µA