RJ1G10BBGTL1
NCH 40V 280A, TO-263AB, POWER MO
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- RJ1G10BBGTL1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- NCH 40V 280A, TO-263AB, POWER MO
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Корпус | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 105A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 192W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263AB |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 13200 pF @ 20 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.43mOhm @ 90A, 10V |