RN1102MFV,L3XHF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Однопереходные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Количество:
2548
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- RN1102MFV,L3XHF(CT
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100 mA |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 50 V |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 500nA |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Резисторы включены | R1 and R2 |
| Мощность - Максимальная | 150 mW |
| Резистор - База (R1) | 10 kOhms |
| Резистор - База Эмиттера (R2) | 10 kOhms |
| Корпус | SOT-723 |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Поставщик Устройство Корпус | VESM |