RN1710JE(TE85L,F)
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- RN1710JE(TE85L,F)
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100mA |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 50V |
| Мощность - Максимальная | 100mW |
| Резистор - База Эмиттера (R2) | - |
| Резистор - База (R1) | 4.7kOhms |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Корпус | SOT-553 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Поставщик Устройство Корпус | ESV |