RN1909,LXHF(CT

TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные Количество: 7600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
RN1909,LXHF(CT
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
Мощность - Максимальная 200mW
Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Резистор - База (R1) 47kOhms
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База Эмиттера (R2) 22kOhms
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Поставщик Устройство Корпус US6