RQ3N025ATTB1

PCH -80V -2.5A, HSMT8, POWER MOS

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 4590 Статус RoHS: Поддержка
RQ3N025ATTB1

Основная информация

Номер детали:
RQ3N025ATTB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
PCH -80V -2.5A, HSMT8, POWER MOS

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Тип полевого транзистора P-Channel
Рабочая температура 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Корпус 8-PowerVDFN
Поставщик Устройство Корпус 8-HSMT (3.2x3)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 2W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 485 pF @ 40 V