RQ3P120BLFRATCB
NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- RQ3P120BLFRATCB
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 40W (Tc) |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 6V, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-HSMT (3.2x3) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 360 pF @ 50 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 843µA |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 12A, 10V |