RS6E122BGTB1

NCH 30V 155A, HSOP8, POWER MOSFE

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 4100 Статус RoHS: Поддержка
PDF
RS6E122BGTB1

Основная информация

Номер детали:
RS6E122BGTB1
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
NCH 30V 155A, HSOP8, POWER MOSFE

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 50 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус 8-HSOP
Корпус 8-PowerTDFN
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3310 pF @ 15 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 155A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.16mOhm @ 90A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 89W (Tc)