RY7P250BMTBC

NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 2080 Статус RoHS: Поддержка
PDF
RY7P250BMTBC

Основная информация

Номер детали:
RY7P250BMTBC
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
NCH 100V 300A DFN8080-8S WIDE

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 240 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Рассеиваемая мощность (максимальная) 340W (Tc)
Рабочая температура 175°C (TJ)
Корпус 8-PowerTDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.86mOhm @ 50A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 250A (Ta), 300A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 15900 pF @ 50 V
Поставщик Устройство Корпус DFN8080T8LSHAAI