S2M0080120B
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Производитель:
SMC Diode Solutions
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- S2M0080120B
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 30A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263-7 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 176W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 10mA |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (макс.) | +20V, -5V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 54 nC @ 20 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1324 pF @ 1000 V |