S3M0030120K
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Производитель:
SMC Diode Solutions
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- S3M0030120K
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 130W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 74A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Корпус | TO-247-4 |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 |
| Vgs (макс.) | +18V, -4V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 16mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 143 nC @ 18 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2844 pF @ 1000 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 40A, 18V |