SA2T18H450W19SR6

RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Производитель: NXP Semiconductors Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 26800 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
SA2T18H450W19SR6
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
RF MOSFET LDMOS 30V NI1230

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
Коэффициент шума -
Коэффициент усиления 16.6dB
Технология LDMOS
Номинальное напряжение 65 V
Ток - Тест 800 mA
Ток (Амперы) 10µA
Частота 1.805GHz ~ 1.88GHz
Конфигурация Dual
Напряжение - Тест 30 V
Мощность - Выход 89W
Корпус NI-1230S-4S4S
Поставщик Устройство Корпус NI-1230S-4S4S