SGT65R65AL

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Производитель: STMicroelectronics Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
SGT65R65AL
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Частота -
Ток (Амперы) 25A
Коэффициент усиления -
Коэффициент шума -
Конфигурация N-Channel
Корпус 8-PowerVDFN
Мощность - Выход 5W
Напряжение - Тест 400 V
Технология GaN HEMT
Поставщик Устройство Корпус PowerFlat™ (5x6) HV
Номинальное напряжение 650 V