SIEH4800EW-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Производитель:
Vishay Siliconix
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
4600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- SIEH4800EW-T1-GE3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 7.5V, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 278 nC @ 10 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 20A, 10V |
| Корпус | 8-PowerDFN |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 34A (Ta), 381A (Tc) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 29000 pF @ 40 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3.4W (Ta), 417W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | PowerPAK® 8 x 8 BWL |