SIHG125N65E-GE3
E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Производитель:
Vishay Siliconix
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2094
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- SIHG125N65E-GE3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247AC |
| Корпус | TO-247-3 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 27A (Tc) |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 250µA |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 208W (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 12A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1938 pF @ 100 V |