SIJ5623DP-T1-GE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
Производитель:
Vishay Siliconix
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
7600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- SIJ5623DP-T1-GE3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.6V @ 250µA |
| Поставщик Устройство Корпус | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 10A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1575 pF @ 30 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 9.3A (Ta), 26.1A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 4.1W (Ta), 32.9W (Tc) |