SIR576DP-T1-BE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150

Производитель: Vishay Siliconix Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 7600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
SIR576DP-T1-BE3

Основная информация

Номер детали:
SIR576DP-T1-BE3
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 38 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1870 pF @ 75 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11.1A (Ta), 42.2A (Tc)