SIR5810DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C

Производитель: Vishay Siliconix Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 7570 Статус RoHS: Поддержка
PDF
SIR5810DP-T1-RE3

Основная информация

Номер детали:
SIR5810DP-T1-RE3
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 18.5 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 900 pF @ 40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 56.8W (Tc)