SIRA06DDP-T1-UE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET

Производитель: Vishay Siliconix Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 7438 Статус RoHS: Поддержка
PDF
SIRA06DDP-T1-UE3

Основная информация

Номер детали:
SIRA06DDP-T1-UE3
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 46 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2330 pF @ 15 V
Поставщик Устройство Корпус PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
Vgs (макс.) +20V, -16V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 15A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 36A (Ta), 125A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 4.6W (Ta), 59W (Tc)