SIZF918BDT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

Производитель: Vishay Siliconix Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 7600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
SIZF918BDT-T1-GE3

Основная информация

Номер детали:
SIZF918BDT-T1-GE3
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
Корпус 8-PowerWDFN
Поставщик Устройство Корпус 8-PowerPair® (6x5)
Мощность - Максимальная 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 25A (Ta), 73A (Tc), 41A (Ta), 158A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 10A, 10V, 1.4Ohm @ 15A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 29nC @ 10V, 77nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1290pF @ 15V, 3350pF @ 15V