SNXH150B120H3Q2F2PG-N

GEN III Q2BOOST 1100V

Производитель: onsemi Категории продуктов: Модули IGBT Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
SNXH150B120H3Q2F2PG-N
Упаковка:
-
Упаковка:
Tray
Описание:
GEN III Q2BOOST 1100V

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
输入 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 80 A
NTC Термистор Yes
Ток отсечки коллектора (макс.) 400 µA
Рабочая температура 175°C (TJ)
Конфигурация 3 Independent
IGBT Тип Trench Field Stop
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 80A
Мощность - Максимальная 279 W
Входная емкость (Cies) при Vce 19137 pF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус 35-PIM (93x47)