TK080A60Z1,S4X

N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1700 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
TK080A60Z1,S4X
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура 150°C
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Корпус TO-220-3 Full Pack
Рассеиваемая мощность (максимальная) 45W (Tc)
Vgs (макс.) ±30V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 43 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 30A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус TO-220SIS
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 80mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1.17mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2510 pF @ 300 V