TK115N65Z5,S1F
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1660
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TK115N65Z5,S1F
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | 150°C |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 190W (Tc) |
| Корпус | TO-247-3 |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 24A (Ta) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 1.02mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2280 pF @ 300 V |