TK125U60Z1,RQ

N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 5600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
TK125U60Z1,RQ
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рассеиваемая мощность (максимальная) 150W (Tc)
Рабочая температура 150°C
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 28 nC @ 10 V
Vgs (макс.) ±30V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 125mOhm @ 6A, 10V
Корпус 8-PowerSFN
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 730µA
Поставщик Устройство Корпус TOLL
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1620 pF @ 300 V