TP65H050G4WS
650 V 34 A GAN FET
Производитель:
Transphorm
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1850
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TP65H050G4WS
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 650 V 34 A GAN FET
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Корпус | TO-247-3 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-3 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 34A (Tc) |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 119W (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.8V @ 700µA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 400 V |