TP65H100G4LSGB-TR
Hi Volt FETs
Производитель:
Transphorm
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TP65H100G4LSGB-TR
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- Hi Volt FETs
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Корпус | 8-VDFN Exposed Pad |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 14.4 nC @ 10 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 12A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 65.8W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PQFN (8x8) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 18.9A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.1V @ 1.8mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 818 pF @ 400 V |