TP65H480G4JSG
MOSFET 650V, 480mOhm
Производитель:
Transphorm
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TP65H480G4JSG
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- MOSFET 650V, 480mOhm
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 3.6A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Vgs (макс.) | ±18V |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 8V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 760 pF @ 400 V |
| Корпус | 3-PowerTDFN |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.8V @ 500µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 9 nC @ 8 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 13.2W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | 3-PQFN (5x6) |