TPM7R10CQ5,LQ
N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
11600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TPM7R10CQ5,LQ
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 8V, 10V |
| Рабочая температура | 175°C |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 1.2mA |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 3W (Ta), 250W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 13A (Ta), 120A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 35A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6800 pF @ 75 V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-SOP Advance (4.9x5.75) |