TQM210NH08LDCR RLG
80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
6600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TQM210NH08LDCR RLG
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 11nC @ 10V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Мощность - Максимальная | 48W (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-PDFNU (4.9x5.75) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 8.2A (Ta), 33A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 16.5A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 639pF @ 40V |