TRS30N120HB,S1Q

1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE

Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage Категории продуктов: Диодные матрицы Количество: 1630 Статус RoHS: Поддержка
PDF
TRS30N120HB,S1Q

Основная информация

Номер детали:
TRS30N120HB,S1Q
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
1200V30A SIC SCHOTTKY BARR DIODE

Параметры продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Класс -
Квалификация -
Корпус TO-247-3
Диодная конфигурация 1 Pair Common Cathode
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.) 1200 V
Ток - Обратная утечка при Vr 100 µA @ 1200 V
Технология SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr) 0 ns
Поставщик Устройство Корпус TO-247
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If 1.45 V @ 15 A
Рабочая температура - переход 175°C
Ток - Средний выпрямленный (Io) (на диод) 41A