TW027U65C,RQ
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- TW027U65C,RQ
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 57A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 156W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5V @ 3mA |
| Рабочая температура | 175°C |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Поставщик Устройство Корпус | TOLL |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2288 pF @ 400 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 65 nC @ 18 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 29A, 18V |