UHB100SC12E1BC3N
MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- UHB100SC12E1BC3N
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2P-CH 1200V 100A MODULE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | Module |
| Поставщик Устройство Корпус | Module |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 100A (Tc) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Half Bridge) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 70A, 12V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 6V @ 40mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 170nC @ 15V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5859pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 417W (Tc) |