UHB50SC12E1BC3N
MOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE
Производитель:
onsemi
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- UHB50SC12E1BC3N
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2P-CH 1200V 69A MODULE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Корпус | Module |
| Поставщик Устройство Корпус | Module |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 6V @ 20mA |
| Мощность - Максимальная | 208W (Tc) |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Half Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 69A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 50A, 12V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 85nC @ 15V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2930pF @ 800V |