VDM610N180LSA
100V, Dual N Channel MOSFET, RDS
Производитель:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1900
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- VDM610N180LSA
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- 100V, Dual N Channel MOSFET, RDS
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 31A (Tc) |
| Мощность - Максимальная | 35W |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 24nC @ 10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 20A, 10V |
| FET Особенности | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Поставщик Устройство Корпус | DFN5060 Dual |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1065pF @ 50V |