VDR10N085LSA
100V, Single N Channel MOSFET, R
Производитель:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1900
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- VDR10N085LSA
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- 100V, Single N Channel MOSFET, R
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 4.5V, 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 70A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-252 |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2551 pF @ 50 V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 65.2W |