VS-4C10ET07T-M3
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Производитель:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Категории продуктов:
Типы выпрямительных диодов
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- VS-4C10ET07T-M3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | TO-220-2 |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-220AC |
| Рабочая температура - переход | -55°C ~ 175°C |
| Ток - Средний выпрямленный (Io) | 10A |
| Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If | 1.5 V @ 10 A |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 ns |
| Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.) | 650 V |
| Ток - Обратная утечка при Vr | 80 µA @ 650 V |
| Емкость при Vr, Ф | 440pF @ 1V, 1MHz |