VTM606C700LSA
60 V Complementary N MOSFET, RDS
Производитель:
VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1900
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- VTM606C700LSA
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- 60 V Complementary N MOSFET, RDS
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Конфигурация | N and P-Channel Complementary |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 19nC @ 10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 15A, 10V |
| FET Особенности | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Поставщик Устройство Корпус | DFN5060 Dual |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 15A, 10A |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1141pF @ 30V |
| Мощность - Максимальная | 15.6W (Tc) |